...
首页> 外文期刊>Журнал физической химии >ВЛИЯНИЕ АКТИВНОСТИ КИСЛОРОДАВ ГАЗОВОИ ФАЗЕ НАМЕХАНИЗМРЕАКПИИ ТВЕРДОФАЗНОГО СИНТЕЗА In_2(WO_4)_3 и In_6WO_(12)
【24h】

ВЛИЯНИЕ АКТИВНОСТИ КИСЛОРОДАВ ГАЗОВОИ ФАЗЕ НАМЕХАНИЗМРЕАКПИИ ТВЕРДОФАЗНОГО СИНТЕЗА In_2(WO_4)_3 и In_6WO_(12)

机译:气相中氧活度对固相合成In_2(WO_4)_3和In_6WO_(12)反应机理的影响

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

С целью определения модели механизма реакционного массопереноса изучено влияние активности кислорода на скорость реакций образования In2(WO4)3 и 1n6W012. Установлено, что образование In_2(WO_4)_3 в модельной реакционной ячейке происходит за счет переноса компонентов (WO_4)~(2-) и электронов, которые двигаются в противоположных направлениях через продукт реакции. Получено соот- ношение для коэффициентов диффузии носителей; показано, что скорость диффузии электронов и скорость реакции меняются по закону: K_p=D_(lim)=D_ea_O~(-1/4). Сделан вывод, что образование электронного проводника In_6WO_(12) является двухзонanьным процессом – на границе In_2(WO_4)_3 In_6WO_(12) продукт образуется на поверхности In_2(WO_4)_3 за счет ухода {WO_3} в направлении In_2O_3, на границе In_6WO_(12) In_2O_3 продукт образуется на поверхности 1n2O3 путем реакции продиффундировавшего {WO_3} с In_2O_3. Получено вероятное соотношение коэффициентов диффузии компонентов In_6WO_(12). Выведено соотношение для скорости процесса. Исходя из данных, по расчетной толщине слоя продуктов оценены коэффициенты диффузии лимитирующего компонента.
机译:为了确定反应传质机理的模型,研究了氧活度对In2(WO4)3和1n6W012形成反应速率的影响。发现在模型反应池中In_2(WO_4)_3的形成是由于组分(WO_4)〜(2-)和电子在反应产物中沿相反方向移动引起的。得到了载流子扩散系数的关系。结果表明,电子的扩散速率和反应速率均按照以下规律变化:K_p = D_(lim)= D_ea_O〜(-1/4)。结论是,电子导体In_6WO_(12)的形成是一个两区过程-在边界In_2(WO_4)_3 In_6WO_(12)上,由于{WO_3}在边界In_6WO_(12)上沿方向In_2O_3离开{WO_3}而在表面In_2(WO_4)_3上形成了产品。 )In_2O_3通过扩散的{WO_3}与In_2O_3的反应在1n2O3表面形成产物。获得了In_6WO_组分的扩散系数的可能比率(12)。得出处理速度的关系。根据数据,从计算出的产品层厚度估算出限制成分的扩散系数。

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号