К вопросу o времени развития параметрической неустойчивостипри поляритон-поляритонном рассеянии в планарномполупроводниковом микрорезонаторе

摘要

Показано, что для развития пороговой неустойчивости поляритон- поляритонного рассеяния в планарном полупроводниковом микрорезонаторе при когерентном импульсном возбуждении выше нижней поляритонной ветви необходима минимальная длительность накачки порядка нескольких десятков пикосекунд: заселенность поляритонных мод в областях параметрической неустойчивости должна нарасти от уровня шума до определенного значения, сравнимого c заселенностью возбуждаемой моды.