МОДЕЛИРОВАНИЕ БЕТАВОЛЬТАИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА НА КРЕМНИЕВЫХ PIN-СТРУКТУРАХ ПРИ ОБЛУЧЕНИИ BETA-ИСТОЧНИКОМ НИКЕЛЬ-63

摘要

Рассмотрены возможности бетавольтаики в качестве источников питания для полупроводниковых схем. Экспериментальные исследования показали существенную роль зарядки поверхности и снижение эдс. Проведено моделирование бетавольтаического эффекта от источника никель-63 для кремниевых pin-структур и показано, что коэффициент сбора сгенерированных носителей заряда может достигать значения 13%. Определены дозовые зависимости эффективности работы кремниевых бетавольтаических структур от alpha- и gamma-облучений, показано, что дозы 1.3·10~(14) и 10~(20) см~(-2) соответственно являются пороговыми, выше которых происходит резкое снижение работоспособности. Определены оптимальные параметры микроканальных структур бетавольтаики, в которых ширина каналов и расстояние между ними соответствуют 3 и 10 мкм.