Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри-Перо

摘要

Проведен анализ порогoвых условий генерации замкнутой моды в кристалле полупроводникового лазера Фабри–Перо с квантово-размерной активной областью. Установлено, что основными параметрами, влияющими на значение порога генерации замкнутой моды для выбранной лазерной гетероструктуры, являются: оптические потери в пассивной области, фактор оптического ограничения замкнутой моды в области усиления и расстройка материального усиления. Найдены соотношения, определяющие пороговые условия генерации замкнутой моды через оптические и геометрические характеристики полупроводникового лазера. Показано, что вследствие нулевых потерь на выход для замкнутой моды пороговые условия могут быть выполнены при меньшем значении материального усиления по сравнению с модой резонатора Фабпи—Пепо.