При формировании контакта метaлл--полупроводник c барьером Шоттки (в виде пленки золота на поверхности арсенида гaллия p- или n-типа проводимости) возникает встроенное в контакт электрическое поле Е1, распространяющееся вокруг контакта на расстояние l (орeол), в десятки рaз превышающее размеры области пространственного заряда. Это поле понижает электростатический потенциал φ_(Au), контакта назначительную величину φ~*. Размер ореола l и величина понижения электростатического потенциала φ* в общем случае определяются величиной и знаком заряда в области пространственного заряда, которые зависят от диаметра D контакта, a также концентрации и типа проводимости полупроводника. Для контактов c барьером Шоттки Аи/п-GaAs уменьшение D приводит к возрастанию роли периферии, что проявляется в увеличении φ~*, a также в уменьшении φ_(Au) и l. Для контактов Аи/p-GaAs уменьшение D приводит к уменьшению влияния периферии, что проявляется в уменьшении φ~*, увеличении φ_(Au) и l. Отсутствие области пространственного заряда в контактах МДП приводит к тому, что размер ореола l и величина φ* не зависят от их диаметров.
展开▼
