Проведено теоретическое исследование роста и морфологии полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, получаемых в отсутствие катализатора роста. Построена самосогласованная модель, описывающая одновременно как вертикальный, так и радиальный рост нитевидных нанокристаллов. Показано, что скорость вертикального роста нелинейно зависит от времени на начальном этапе и стремится к постоянному значению на асимптотической стадии. Дана классификация возможных форм нитевидных нанокристаллов в зависимости от условий осаждения. Проведено сравнение результатов с экспериментальными данными по морфологии GaN нитевидных нанокристаллов, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на поверхности кремния.
展开▼