ВЛИЯНИЕ КОРОТКОПЕРИОДНОЙ СВЕРХРЕШЕТКИ INGAN/GAN НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ СВЕТОДИОДОВ СИНЕГО ДИАПАЗОНА ВОЛН В ОБЛАСТИ ВЫСОКОГО УРОВНЯ ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКИ

摘要

Представлены результаты экспериментальных исследований внутреннего квантового выхода фотолюминесценции светодиодных гетероструктур синего диапазона длин на основе множественных квантовых ям In _x Ga_(1-)_x N/GaN с короткопериодными сверхрешетками In _y Ga_(1-)_y N/GaN с малым содержанием In при высоких уровнях оптической накачки. Введение сверхрешетки In _y Ga_(1-)_y N/GaN со стороны n -области светодиодной гетероструктуры In _x Ga_(1-)_x N/GaN позволяет повысить значение ее внутреннего квантового выхода предположительно за счет уменьшения квантового эффекта Штарка и снижения темпа оже-рекомбинации.