ТЕМПЕРАТУРНЫЕ И ПОЛЕВЫЕ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕМЕНТОВ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ МДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ МЛЭ N-HG_(0.775)CD_(0.225)TE В РЕЖИМЕ СИЛЬНОЙ ИНВЕРСИИ

摘要

Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n -Hg_(0.775)Cd_(0.225)Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе n -Hg_(0.775)Cd_(0.225)Te с приповерхностным варизонным слоем при 77 К и частотах, превышающих 10 кГц, имеют высокочастотный вид относительно времени перезарядки поверхностных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми для собственного полупроводника. Установлено, что концентрация электронов в приповерхностном варизонном слое превышает интегральную концентрацию, найденную методом Холла, более чем в 2 раза. При помощи предложенной методики для МДП-структуры на основе n -Hg_(0.775)Cd_(0.225)Te без варизонного слоя определены температурные зависимости емкости диэлектрика, емкости и дифференциального сопротивления области пространственного заряда, емкости инверсионного слоя. Проведен расчет температурных и полевых зависимостей параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии, причем результаты расчета качественно согласуются с результатами, полученными из измерений адмиттанса.