ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ВНУТРИ ОБЪЕМА ИСХОДНЫХ И ЛЕГИРОВАННЫХ ЖЕЛЕЗОМ И ХРОМОМ ПОЛИКРИСТАЛЛОВ СVD-ZnSe МЕТОДОМ ДВУХФОТОННОЙ КОНФОКАЛЬНОЙ МИКРОСКОПИИ

摘要

Методом двухфотонной конфокальной микроскопии исследованы краевая и дефектно-примесная люминесценция поликристаллического СVD-ZnSe в области 0.46—0.73 мкм. Получены карты распределения интенсивности люминесценции в исходных и легированных железом и хромом образцах ZnSe на глубине до 1 мм с пространственным разрешением несколько микрометров. Показано, что в областях кристаллов с низкой концентрацией легирующих ионов образуются центры, люми-несцирующие в диапазонах 520—580 нм и больше 670 нм. В части кристаллов с высокой концентрацией железа и хрома образуются центры, подавляющие краевую и дефектно-примесную (в диапа?зоне 520—580 нм) люминесценцию. Делается предположение о природе этих центров. Показана возможность исследования люминесцентных характеристик границ зерен в СVD-ZnSe.