ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННЫЕ СУВ-МЕТОДОМ ИЗ ВЫСОКОЧИСТОГО СИЛАНА

摘要

По реакции терморасмада силана получены высокочистые структурно совершенные эпитаксиаль-иые слои кремния толщиной до 20 мкм с концентрацией носителей заряда п = 10~(12) см~(-3). Измеренные электрофизические параметры полученных слоев могут быть использованы для оценки содержания "электроактинных" примесей в высокочистом силане.