МОДИФИЦИРОВАНИЕ СЕЛЕКТИВНЫХ И ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СВОЙСТВ РЕЗИСТИВНЫХ АДСОРБЦИОННЫХ СЕНСОРОВ ПУТЕМ ЦЕЛЕНАПРАВЛЕННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ

摘要

Проанализированы физико-химические закономерности изменения энергетики адсорбционных центров и влияние на газочувствительные свойства целенаправленного легирования резистивных полупроводниковых датчиков. Установлено, что для минимизации деградационных процессов мультисенсоров необходимо изготавливать каждый элемент из одного материала. При легировании модификаторами важную роль играют многие факторы, особенно значение отношения квадрата заряда иона примеси к радиусу иона. При значении этого фактора меньшим, чем тот же параметр для материнского материала происходит уменьшение числа бренстедовских центров на поверхности и рост влияния центров типа Льюиса. Также отмечено, что решающее влияние на энергетику поверхностных центров вносит дефектность кристаллической структуры (степень отклонения от стехиометрии).