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広帯域段間整合回路を用いたC-Ku帯超広帯域高出力MMIC増幅器

机译:使用宽带级间匹配电路的C-Ku频段超宽带高输出MMIC放大器

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摘要

GaN HEMT(Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)を用いたMMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits)構成のC-Ku帯115%比帯域高出力増幅器について報告する.試作を行った広帯域高出力MMIC増幅器はC-Ku帯(115%比帯域)の広帯域に渡って平均で出力電力20.6W,PAE(Power Added Efficiency)18.3%の高出力かつ高効率が得られた.この出力電力はKu帯の周波数まで動作し比帯域100%以上のGaN HEMT MMIC増幅器としては最大の出力電力である.また面積当たりの出力電力も過去文献に対して最も高い結果が得られた.
机译:我们报告了使用GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)的MMIC(单片微波集成电路)配置的C-Ku频段115%特定频段高输出放大器。原型宽带高输出MMIC放大器实现了高输出和高效率,在C-Ku频段(比率为115%的宽带)中的平均输出功率为20.6W,PAE(功率附加效率)为18.3%。 ..此输出功率是GaN HEMT MMIC放大器的最大输出功率,该放大器的工作频率高达Ku频段,并且具有100%或更高的特定频段。另外,在过去的文献中单位面积的输出功率也是最高的。

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