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300mm時代の高機能シリコンウエハー

机译:300mm时代的高性能硅晶圆

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摘要

300mmウエハー量産規模が拡大しつつある現在,デバイスの高集積化および高速·低消費電力化に対応して,ウエハーの高品質化と高機能基板の開発がますます重要である.本稿では,高品質化として,まず結晶の完全性とゲッタリング能力向上を取り上げる.特に,結晶引き上げ工程の精緻な制御によってCOPの密度とサイズの制御が量産技術として確立されたこと,IG能力の最適化が進められていることに触れる.次に,ウエハー表面品質改善の例として,極微細な粗さ低減を可能にする洗浄技術を紹介する.また,高機能基板として,薄膜SOI基板とひずみSi基板の製造方法を概説し,欠陥などの品質の現状と今後の問題点について述べる.
机译:现在300毫米晶圆的大规模生产规模正在扩大,响应于设备的高度集成以及高速和功耗的降低,提高晶圆质量和开发高性能基板变得越来越重要。在本文中,我们首先专注于提高高质量的晶体的完美性和吸杂能力。特别地,提到通过精确控制拉晶过程已经将控制COP密度和尺寸作为批量生产技术,并且正在促进IG能力的优化。接下来,作为改善晶片表面质量的一个例子,我们介绍了一种可以降低粗糙度的超净清洁技术。此外,我们概述了薄膜SOI衬底和应变Si衬底作为高性能衬底的制造方法,并描述了诸如缺陷和未来问题等质量的现状。

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