有機分子エレクトロニクスへの第一原理計算の応用

摘要

有機分子を用いた電子デバイスは，有機発光素子の平面ディスプレイへの応用をはじめ，有磯トランジスターなどへの応用が期待されている．このような電子デバイスの性能ほ有磯分子と金属電極との界面での電子状態によって大きく左右される．金属電極から有機分子層へ電子や正孔のキャリヤーを注入する際のバリヤーは，金属のフェルミ·レベルと分子との最高占有軌道（HOMO）や最低非占軌道（LUMO）が作るバソド端との界面でのエネルギー差と考えられる．そこで，界面でのこれらのレベルの位置関係が重要となってくる．最も単純には金属の真空レベルと半導体の真空レベルが一致するように接合すると考える（第1図（a）参照）。