5μmを超えるInNの高品質薄膜を作製エネルギーバンドギャップも精密測定次世代半導体材料として期待

摘要

千葉大学工学部の吉川明彦教授、石谷善博助教授らの研究グループは、化合物半導体の窒化インジウム（InN）結晶を「極性制御」と呼ばれる手法で成長させ、膜厚5μmを超える高品質薄膜の作製に成功した。 エネルギーバンドギャップも精密に測定した。 赤外線帯域の高速通信に使用される光通信波長域レーザー、超高速光制御素子、電子素子など次世代の半導体材料として期待できるという。