ホイスラー合金系ハ一フメクル材料め探索

摘要

PCAR法はバルク材料，薄膜材料から簡便にスピン分極率を評価することができるので，組成を系統的に変化させた多数の試料や，規則度を回折手法により測定したバルク試料のスピン分極率を迅速に測定するのに適している．つまり，材料探索に極めて有効な手法といえる．ただし，PCARにより求められる分極率は探針と試料間で新たに形成されるナノコンタクトを流れるパリスティツク電子のスピン分極率であり，MTJからJulliereの式を使って評価されるトンネル電子のスピン分極値とは一致しない．MTJから求められるトンネル電子のスピン分極率はトンネル障壁の種類や界面構造によって敏感に変化する．PCAR法で求められるパリスティツク電子のスピン分極率の物理的意味については多くの議論がなされているが，本稿で示したようにバンド構造に由来する伝導電子のスピン分極率を反映したような実験結果が得られている。 微細加工が不要などの実験的な簡便さと測定の迅速性を考慮すると，材料固有のスピン分極率ある程度反映していると考えられるPCAR法は材料探索には有効な手法であると言える.