組成傾斜を利用した温度差を必要としない新規熱－電力変換材料

摘要

Auの組成を傾斜させることにより1つの結晶内でn型から真性半導体と変化させたBa_8Au_xSi_(46-x)クラスレート単結晶において，試料に温度差を与えることなく均一に加熱することにより電圧の発生を確認した．そのメカニズムは，バンドギャップの狭い真性半導体部分において電子を励起し，バンドの曲がりに応じてn型部分に電荷の拡散が行われた結果，電圧を生じさせるものであると考えられる．