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【24h】

フルオートマチック·ウェーハ·レーザダイシング装置(ML200)

机译:全自动晶圆激光切割机(ML200)

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摘要

当レーザダイシング装置(ML200)写真-1では,半導体シリコン素材での吸収効率の良いレーザ光を用い,最適な照射条件による加工によって,高速回転スピンドル自体が不要になるとともに,切削屑の排出や砥石の冷却で必要とされた超純水が一切不要となり,相当する超純水の生産に費やされた電力をも削減することができた。 また,砥石による研削加工と異なり,加工後の洗浄工程が不要になるため,これにより消費された超純水も削減の対象となり,多大な省エネ効果をもたらすことができる。さらには,研削加工の欠点であった進行性の歪みが極小となり,この装置により切り出された半導体デバイス,特に薄物半導体デバイスでは,優れた抗折強度を有することが確認されたため,デバイスの製造工程で「切り屑」となってしまう研削領域を最小化することができ,半導体素材の有効活用にも貢献するものである。
机译:该激光切割装置(ML200)Photo-1使用半导体硅材料具有良好吸收效率的激光,并且通过在最佳照射条件下进行处理,不需要高速旋转主轴本身,并且可以排出切削屑并使用砂轮。完全消除了冷却所需的超纯水,并且可以减少生产相应超纯水所消耗的功率。另外,与用砂轮进行研磨不同,不需要加工后的清洗工序,因此也可以减少消耗的超纯水量,从而可以起到很大的节能效果。此外,作为磨削的缺点的渐进应变被最小化,并且证实了由该器件切出的半导体器件,特别是薄的半导体器件,具有优异的抗弯曲性,因此,器件制造工艺可以最小化变成“芯片”的磨削面积,并有助于有效利用半导体材料。

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