SiCパワーデバイスの技術開発

摘要

SiCはSiに比べ，1）バンドギャップが約3倍，2）絶縁破壊電界が約7.5倍，3）熱伝導率が約3倍という物性値を持つ。 そのため，Siに比べ超低損失（オン損失1/200以下）で，高速·高温動作可能な高電力パワーデバイスの実現が可能である。