「超高性能小型メタルガスケット継手UPG」~Rを開発

摘要

㈱フジキンは「超高性能小型メタルガスケット継手UPG~R」を開発した。 UPG~Rは半導体製造装置用継手として開発されたものでリーク量10~(-16)Pa·m~3/sec以下を実現した高性能な継手（図-1参照）。 半導体製造装置は半導体製造過程で各種のガス（SiH_4，B_2H_6，PH_3，HCL，HBr等の宿食性ガス，毒性ガス）を使用し，成膜，エッチングを行い半導体を製造する。 近年半導体の集積度が上がるにつれ継手に要求される項目が厳しくなってきた。