高速スイッチングRESURF-JFETとその応用回路の開発

摘要

SiCパワーデバイスの開発の中心となっているのは大電流、高耐圧のデバイスとして期待されている縦型のMOSFETであるが、高速なスイッチングを追求したデバイス開発も行われている。その例としてわれわれが開発を進めているRESURF（Reduced Surface Field、表面電界緩和）型JFET（接合型電界効果トランジスタ）を紹介する。