О ВЗАИМОДЕЙСТВИИ В СИСТЕМАХ SiC-Me~VSi_2

摘要

Изучено взаимодействие компонентов в системах SiC-Me~VSi_2 и построены диаграммы состояния эвтектического типа, характеризующиеся по мере снижения Т_(пл)Me~VSi_2 повышением концентрации Me~VSi_2 в эвтектике. Т_(ЭВТ) снижается на 50-140 deg C от Т_(пл) чистых Me~VSi_2, что позволяет считать эти системы привлекательными для разработки новых композиционных керамических материалов.