首页> 外文期刊>Огнеупоры и техническая керамика >Строение политермического разреза SiC-W_2B_5 системы B-C-Si-W
【24h】

Строение политермического разреза SiC-W_2B_5 системы B-C-Si-W

机译:B-C-Si-W系统的多热段SiC-W_2B_5的结构

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Изучено взаимодействие и построен политермический разрез SiC-W_2B_5 четверной системы B-C-S-W, описываемой эвтектической диаграммой состояния. Эвтектика содержит 30 мол. % SiC и 70 мол. % W_2B_5, температура плавления эвтектики 2060 ± 30 °С.
机译:研究了相互作用,并构造了由共晶相图描述的四元体系B-C-S-W的多热截面SiC-W_2B_5。共晶含量为30摩尔。 %SiC和70摩尔%W_2B_5,低共熔熔点2060±30°С。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号