ОЦЕНКА ПОВЕРХНОСТНОЙ АКТИВНОСТИ ИОНОВ Cl~- И Вr~-В СИСТЕМАХ (In-Gа)/[N-МЕТИЛФОРМАМИД + тс КСl + (1 - т)с КСlO4] И (In-Gа)/[N-МЕТИЛФОРМАМИД + тс КВr + (1 - т)с КСlO4] РАЗЛИЧНЫМИ МЕТОДАМИ

摘要

С помощью моста переменного тока получены зависи мости от потенциала дифференциальной емкости в системах (In-Ga)/[N-MO + 0.1т М КСl + 0.1(1 - т) М КСlO4] и (In-Ga)/[N-MФ + 0.1т М KBr + 0.1(1 - т) М KClO4] при следующих значениях доли т поверхностно-активного аниона: 0, 0.01, 0.02, 0.05, 0.1, 0.2, 0.5 и 1 (N-МФ - N-метилформамид). Показано, что данные по специфической адсорбции анионов Сl~- и Вr~- в указанных системах могут быть количественно описаны изотермой Фрумкина. Различными методами определены основные параметры адсорбции анионов Cl~- и Вr~-на границе (In-Gа)/N-МФ. Энергия адсорбции галоид-ионов из растворов в N-МФ существенно зависит от природы иона и природы металла. В отличие от границы Ga/N-МФ, где энергия адсорбции возрастает в последовательности I~- ≈ Вr~- < Сl~-, на границе (In-Са)/N-МФ она растет в обратной последовательности Сl~- < Вr~- < I~-. Параметры адсорбции при плотности заряда q = 0, полученные тремя различными методами, близки. Однако параметры α1 и α2, характеризующие изменение энергии адсорбции с зарядом, найденные из анализа зависимостей адсорбционного скачка потенциала Е_(ads) от ln(mc) при разных q, отличаются от параметров, полученных двумя другими методами. Ошибка, по-видимому, вносится допущением о пропорциональности между адсорбционным скачком потенциала и степенью запол нения плотного слоя специфически адсорбированными ионами.