次々世代トランジスタへの道を開くSrGe_x界面層High-k/Ge MISFET

摘要

これまでエレクトロニクス技術はシリコン（Si）基板上に形成するトランジスタを微細化することによって発展してきた。しかし近年，LSlの高速化や高集積化，環境問題などに伴いLSIの低消費電力化の要求が高まっている。これに応えて，2016年以降の次々世代トランジスタでは，基板材料をSiよりも電気抵抗の低いゲルマニウム（Ge）に変えて電源電圧を下げ，消費電力を抑制することが検討されている。東芝は，ストロンチウム（Sr）とGeの化合物層をGeトランジスタのチャネルと絶縁膜の界面に用いることにより，ゲート漏れ電流の低減とキャリア移動度向上の両立を実現し，次々世代トランジスタと考えられている高誘電体（High-k）絶縁膜を用いたGe MISFET（金属絶縁膜半導体型電界効果トランジスタ）としての可能性を得た。これからも，次々世代トランジスタの実現に向けて，新材料と新技術の開発を進める。