世界初!反転層型ダイヤMOSFETの動作実証に成功

摘要

金沢大学理工研究域電子情報学系の松本巽助教、徳田規夫准教授らの研究グループ（薄膜電子工学研究室）は、国立研究開発法人産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センターダイヤモンドデバイス研究チームの山崎聡招へい研究員、加藤宙光主任研究員、株式会社デンソーの小山和博担当課長らとの共同研究により、世界で初めてダイヤモンド半導体を用いた反転層チャネルMOSFETを作製し、その動作実証に成功した。