ИЗУЧЕНИЕ ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ Nd2S3-Ga2S3-EuS ПО РАЗРЕЗУ (Ga2S3)_(0.73))(Nd2S3)_(0.27)-(Ga2S3)_(0.75)(EuS)_(0.25)

И.Б.Бахтиярлы; Р.Дж.Курбанова; Ф.М.Мамедова

首页> 外文期刊>Химичесκая промышленность >ИЗУЧЕНИЕ ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ Nd2S3-Ga2S3-EuS ПО РАЗРЕЗУ (Ga2S3)_(0.73))(Nd2S3)_(0.27)-(Ga2S3)_(0.75)(EuS)_(0.25)

【24h】

ИЗУЧЕНИЕ ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ Nd2S3-Ga2S3-EuS ПО РАЗРЕЗУ (Ga2S3)_(0.73))(Nd2S3)_(0.27)-(Ga2S3)_(0.75)(EuS)_(0.25)

机译：切割Nd2S3-Ga2S3-EuS三重体系的研究（Ga2S3）_（0.73））（Nd2S3）_（0.27）-（Ga2S3）_（0.75）（EuS）_（0.25）

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Методами физико-химического анализа исследован разрез (Ga2S3)_(0.73))(Nd2S3)_(0.27)-(Gа2S3)_(0.75)(ЕuS)_(0.25) тройной системы Nd2S3-Ga2S3-EuS. Построена его фазовая диаграмма во всем интервале концентрации. Установлено, что разрез является неквазибинарным сечением указанной тройной системы. Изотермические линии при 1000 и 1050 К отражают нонвариантное равновесие в частных подчиненных системах тройной системы Nd2S3-Ga2Ss-EuS.

机译：通过理化分析方法研究了Nd2S3-Ga2S3-EuS三元体系的（Ga2S3）_（0.73））（Nd2S3）_（0.27）-（Gа2S3）_（0.75）（ÅuS）_（0.25）。其相图在整个浓度范围内绘制。发现该部分是所指示的三元系统的非准二进制部分。 1000 K和1050 K的等温线反映了Nd2S3-Ga2Ss-EuS三元系统的部分从属系统的不变平衡。

著录项

来源
《Химичесκая промышленность》 |2014年第3期|共3页
作者
И.Б.Бахтиярлы; Р.Дж.Курбанова; Ф.М.Мамедова;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类一般性问题;
关键词
тройная система; сплав; халькогениды; квазибинарные сечения.;

机译：三元体系;合金;硫族化物;准二元截面。;

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. ИЗУЧЕНИЕ ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ Nd2S3-Ga2S3-EuS ПО РАЗРЕЗУ (Ga2S3)_(0.73))(Nd2S3)_(0.27)-(Ga2S3)_(0.75)(EuS)_(0.25) [J] . И.Б.Бахтиярлы, Р.Дж.Курбанова, Ф.М.Мамедова Химичесκая промышленность . 2014,第3期

机译：切割Nd2S3-Ga2S3-EuS三重体系的研究（Ga2S3）_（0.73））（Nd2S3）_（0.27）-（Ga2S3）_（0.75）（EuS）_（0.25）
2. Thermoluminescence characterization of (Ga2Se3)(0.25) - (Ga2S3)(0.75) single crystal compounds [J] . Materials science in semiconductor processing . 2020,第期

机译：（Ga2Se3）（0.25） - （Ga2S3）（0.75）单晶化合物的热致发光表征
3. Donor substitution effect on dielectric and electrostrictive properties of (Pb0.73Ba0.27)(Zr0.75Ti0.25)O-3 ceramics [J] . Yoon KH., Kang DH., Kim YW. Journal of Materials Science Letters . 1998,第2期

机译：施主取代对（Pb0.73Ba0.27）（Zr0.75Ti0.25）O-3陶瓷介电和电致伸缩性能的影响
4. Metamorphic In0.27Ga0.73As/In0.25Al0.75As HEMT on GaAs: MBE growth and device performance [C] . Win P., Cordier Y., Druelle Y., Solid State Device Research Conference, 1992. ESSDERC '92 . 1992

机译：GaAs上的变质In 0.27 Ga 0.73 As / In 0.25 Al 0.75 As HEMT：MBE生长和器件性能
5. Faulted structures in Li ion exchanged NaMO2 (M=Ni 0.25Mn0.75). [D] . DeWahl, Aaron. 2013

机译：锂离子交换的NaMO2（M = Ni 0.25Mn0.75）中的缺陷结构。
6. Chemical Vapor DepositionGrowth of Two-Dimensional MonolayerGallium Sulfide Crystals Using Hydrogen Reduction of Ga2S3 [O] . Xiaochen Wang, Yuewen Sheng, Ren-Jie Chang, 2018

机译：化学气相沉积二维单层膜的生长Ga2S3氢气还原的硫化镓晶体
7. First-principle study on the electronic structure and optical property of new diluted magnetic semiconductor (Y0.75Sr0.25) (Cu0.75Mn0.25)SO [O] . Li Zhang, Haoze Chen, Shan Feng, 2017

机译：新型稀磁半导体（Y0.75sr0.25）（Cu0.75mn0.25）sO的电子结构和光学性质的第一性原理研究
8. In0.69Al0.31As0.41Sb0.59/ In0.27Ga0.73Sb double-heterojunction bipolar transistors with InAs0.66Sb0.34 contact layers [R] . 2010

机译：In0.69al0.31as0.41sb0.59 / In0.27Ga0.73sb双异质结双极晶体管，带Inas0.66sb0.34接触层

ИЗУЧЕНИЕ ТРОЙНОЙ СИСТЕМЫ Nd2S3-Ga2S3-EuS ПО РАЗРЕЗУ (Ga2S3)_(0.73))(Nd2S3)_(0.27)-(Ga2S3)_(0.75)(EuS)_(0.25)

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅