首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告. 電磁界理論 >GaAs中にドープされたEr発光中心とフォトニック結晶光ナノ共振器との相互作用
【24h】

GaAs中にドープされたEr発光中心とフォトニック結晶光ナノ共振器との相互作用

机译:GaAs掺杂的Er发射中心与光子晶体光纳米谐振器的相互作用

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Er,O共添加GaAs(GaAs:Er,O)をゲイン媒質とするラォトニック結晶点欠陥レーザの実現を目標として,2次元フォトニック結晶光ナノ共振器中におけるErイオンの発光特性を評価した.また,レーザ発振に最低限必要な共振器Q値を見積もるため,GaAs:Er,Oのもつゲインとして報告されている値を元にシミュレーションによる検討を行った.
机译:我们评估了二维光子晶体光学纳米谐振器中Er离子的发射特性,目的是通过使用Er和O共添加的GaAs(GaAs:Er,O)作为增益介质来实现带状晶体点缺陷激光器。此外,为了估计激光振荡所需的最小谐振器Q值,基于报告的GaAs的增益Er和O进行了仿真研究。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号