FDTD法を用いた電磁界·半導体共シミユレーションによる長フィンガーHBTの解析および実験的検証

摘要

長フィンガー構造を有するHBTに関し、FDTD電磁界シミュレーションとデバイスシミュレーションを連動させて解析する手法について述べる。本手法では、デバイス内での信号伝搬が位相差を生じる程度にデバイス寸法が大きい場合、その影響を考慮してデバイス動作を解析することが可能である。本手法の有用性を示すために、第一段階としてHBTデバイスを小信号等価回路モデルで近似し、解析を行った。その結果、フィンガー長に対する最大有能電力利得の変化が測定結果と同様の傾向を示した。 また使用したHBT構造では、長フィンガー化に伴い損失の影響が顕著化することが解析により示された。