GaAs-HBT AC結合スタック型ベース·コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器

摘要

GaAs-HBTプロセスで作製可能なベース·コレクタダイオードを用いた3.5GHz帯無線通信用0/20-dBステップ減衰器について述べる．低バイアス電流でより大きな許容送信電力特性を得ることができるAC結合スタック型ダイオードスイッチ回路を基本スイッチ素子として用いることにより，従来構成のダイオードスイッチ減衰器に比べて，減衰器の許容送信電力特性を同じバイアス電流条件下で6dB以上改善した．また本減衰器は，歪み特性(IM3)改善のために減衰モード時だけ動作するシャント型ダイオードリニアライザを備えることにより減衰モード時の入力電力16～18dBmにおいて，IM3を約7dB以上改善した．試作した0/20-dB減衰器の主な実験結果は以下の通りである．電源電圧5V，通過／減衰モード時の消費電流及び通過損失は各々3.8mA/6.8mA，1.4dB/20dB，両モードにおける許容送信電力は18dBm以上である．