Статистическая модель повреждения цифровых интегральных микросхем импульсным радиоизлучением

摘要

Построена модель накопления повреждений цифровых интегральных микросхем (ИМС) при воздействии последовательности импульсов радиоизлучения. Проведены статистический анализ вероятности отказа ИМС от числа и мощности воздействующих радиоимпульсов, статистическая обработка полученных экспериментальных результатов повреждения ИМС в электромагнитном поле радиоизлучения и сравнения их с результатами модели.