反応性イオンエッチングを用いたMRAM加工プロセスの開発

摘要

次世代の不揮発性メモリーとして期待されているMRAM (Magnetic Random Access Memory)デバイスの大容量化、量産化を実現させるためには反応性イオンエッチング(RIE: Reactive Ion Etching)による加工プロセスの開発が必要不可欠である。 我々はこれまで、高密度プラズマ源であるISM (Inductively Super Magnetron)プラズマ源を備えた生産用エッチング装置（アルバック製：NEシリーズ）を使用し、ハロゲン系エッチングガスを用いたMRAMエッチングプロセスの開発を行ってきた。 本研究では、量産化のために不可欠なコロージョン評価および、形状、電気特性、磁気特性の面内均一性とその改善を行ったので報告する。