不連続的GMIセンサにおけるインピーダンス不連続点のバイアス磁界振幅依存性

摘要

磁性体の磁区構造の急激な変化に伴い発生し、この磁区変化は、変化の前後に生じる傾斜したストライプ状磁区構造と長手方向に磁気モーメントが揃った構造の磁気エネルギーが所定の容易軸方向で交差することに起因する。 本研究では、このインピーダンス不連続現象の磁気スイッチ応用を目的に、センサに印加される磁界振幅および磁界変動経路に伴う、不連続点の発生磁界変動を評価した。