Si基板上低温堆積GaN薄膜の紫外EL素子への応用

摘要

GaN結晶を(111)Si基板上に基板温度450℃で化合物原料分子線エピタキシー(compound source molecular beam epitaxy: CS-MBE)によって成長した．薄膜を反射高速電子線回折(reflection high-energy electron diffraction: RHEED)，X線回折(X-ray diffraction: XRD)によって評価した．RHEEDとXRDの結果からCS-MBEによって低温成長したGaN結晶はC軸に配向した六方晶のGaN結晶であることがわかった．また，この低温成長GaN を用いてエレクトロルミネッセントデバイスを製作した．パルス電圧によって駆動し紫色がかった青色の発光を確認した．