ウエットエッチングによるサファイア表面加工基板（PSS）を用いた深紫外LED用高品質AlNテンプレートの作製

摘要

AlGaN系深紫外LEDのAlNバッファーを結合ピラー構造とすることで、貫通転移密度の低減による内部量子効率（IQE）の向上と光取り出し効率（LEE）の飛躍的向上が期待される。本研究では、従来のドライエッチングプロセスによるドットパターンのサファイア表面加工基板（PSS；Patterned Sapphire Substrate）の代わりに、ウエットエッチングプロセスによるホールパターンのPSSを作製し、サファイアのエッチング条件を確認した。また、ドットパターンPSSとホールパターンPSS上にそれぞれAlN層を成長させ、違いを観察した。