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高温劣化診断機構を有するSi_3N_4セラミックスの開発

机译:具有高温劣化诊断机理的Si_3N_4陶瓷的研制

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摘要

サブミクロン粉末の使用と常圧焼成を作製条件として、窒化ケイ素に、炭化ケイ素を7:3(窒化珪素:炭化珪素)以上の重量比で混合することで、本来絶縁体である窒化ケイ素に、電気導伝性を付与することができた。また、この方法によって作製した窒化ケイ素複合体の強度は、室温では窒化ケイ素単体とほとんど同じであるが500℃以上では単体を上回ることがわかった。 そして、この窒化ケイ素複合体は導電率の変化により高温劣化を診断できることが確認できた。
机译:通过在使用亚微米粉末和常压烧制的条件下将碳化硅与氮化硅以7:3(氮化硅:碳化硅)或更高的重量比混合,其变成氮化硅,其最初是绝缘体。可以赋予导电性。还发现通过这种方法生产的氮化硅复合材料的强度在室温下与单独的氮化硅几乎相同,但是在500℃或更高的温度下超过单独的氮化硅的强度。然后,证实了该氮化硅复合材料可以通过改变电导率来诊断高温劣化。

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