昭和電工、阪大の次世代半導体実装プロジェクトで成果、アルミニウム製パワー半導体用冷却器の技術で貢献

摘要

昭和電工が参画する大阪大学の菅沼克昭教授のプロジェクトで、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体が300℃の高温域でも安定的に動作する基板構造を開発した。このプロジェクトは、耐熱性に優れたSiCパワー半導体の基板構造の開発を目的に、菅沼教授が中心となって推進する産学連携のプロジェクト。菅沼教授はアルミニウムの耐熱特性に着目、アルミ材料と実装技術を開発し、－40℃から300℃の温度サイクル条件下でも欠陥が生じない材料構造を実現した。