大電力を高速にスイッチングする三菱電機のHVIGBT(High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor)モジュールは,1997年に製品化して以来,高い信頼性が評価され,主に電鉄の駆動用システムや工業用大型機器などの電力変換装置に広く採用されてきた。近年は電鉄市場の世界的拡大や,HVDC(High Voltage DC transmission)などの応用分野への適用事例の増加を受け,HVIGBTの需要が高まっている。当社では,3.3kV以上の耐圧クラスに特化した製品として,2008年に“Rシリーズ”HVIGBTを市場投入した。RシリーズHVIGBTでは電流容量の増加や動作温度の拡大を実現し,電鉄·電力市場の発展に大きく貢献してきた。
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