シリコンカーバイド単結晶の育成技術を開発

摘要

住友金属工業は，シリコンとチタンなどの金属からなる高温の溶液からシリコンカーバイド（SiC）単結晶を成長させる溶液成長法（過飽和溶液からの結晶の晶出現象を利用した結晶成長法）を世界で初めて開発した。 現在，この成長法により2インチ径で厚さ5mmの単結晶育成に成功した。 実用化には結晶をスライスしウエーハにするため，厚さが必要となる。 今年度内にはcmレベルの厚さの結晶を育成する予定。 数年後に製品化を目指す。 ノこれにより，SiC製の省エネルギーのパワーデバイスの実用化が可能になる。