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机译:TiN / TaN双层堆叠厚度的高k /金属栅极nMOSCAP的有效功函数调整方法
TaN; TiAl; Ta-O dipole; effective work function;
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机译:基于物理气相沉积的原位法制备掺La的Hf-硅酸盐栅电介质及其对金属/高k层的有效功函数的调制
机译:高k /金属栅极堆栈工作功能调整稀土封帽层:接口偶极或批量充电?
机译:研究将Ⅲ族元素(镧,gate 、,和铝)掺入用于高级CMOS应用的金属栅/高k堆栈中的方法。
机译:具有纳米堆叠的高k栅极电介质和3D鳍形结构的高性能III-V MOSFET
机译:镧系元素注入用于NmOs高k /金属栅极堆叠中的有效功函数控制