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机译:石墨烯上3d过渡金属原子吸附的第一性原理:延长线缺陷的作用
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机译:3d过渡金属原子吸附的空位偏转型砷的电子和磁性:第一性原理研究
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机译:用于非易失性存储器应用的氮化硅中过渡金属原子引起的缺陷水平的第一原理研究
机译:过渡金属氮(TM-N,TM =铁,钴,镍和x = 0、1、2、3、4)改性石墨烯的物理和化学的第一性原理研究。
机译:3d过渡金属原子的第一性原理研究吸附到带有扩展线缺陷的石墨烯上
机译:内盖:3D过渡金属 - 原子吸附的结构和磁性完美且缺陷石墨烯:密度泛函理论研究(Chemphyschem 15/2013)