机译:NiAl-Cr(Mo)界面失配位错的平衡位置
机译:NiAl-Cr(Mo)界面失配位错的平衡位置
机译:通过将Si离子注入到蓝宝石I中,在GaN /蓝宝石界面处失配位错的平衡位置发生变化。微观结构表征
机译:通过将Si离子注入到蓝宝石中,GaN /蓝宝石界面处的失配位错的平衡位置发生变化。二。电子能量损失谱研究
机译:粘弹性矩阵体系中失配位错偶极子的平衡位置和埋入应变纳米尺度非均匀性的关键参数
机译:位于锑化镓/砷化镓界面的周期性错配位错阵列的结构,电学表征和模拟
机译:失配位错能否位于InAs / GaAs(001)外延量子点的界面上方?
机译:通过si离子注入蓝宝石,改变GaN /蓝宝石界面处的失配位错的平衡位置。 II。电子能量损失光谱研究
机译:应变外延层中线程位错逮捕的判据及其路径中的界面错配位错