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机译:通过将Si离子注入到蓝宝石I中,在GaN /蓝宝石界面处失配位错的平衡位置发生变化。微观结构表征
机译:通过将Si离子注入到蓝宝石中,GaN /蓝宝石界面处的失配位错的平衡位置发生变化。二。电子能量损失谱研究
机译:硅离子注入形成n型发射区的蓝宝石衬底上基于GaN的双极晶体管的特性
机译:GaN /蓝宝石和AlxGa1-xN / AlN / GaN /蓝宝石异质结构的微观结构性质和原子排列
机译:Tem研究了在GaN / Al sub 2O sub 3界面上错配位错的弛豫特性
机译:氮化镓/蓝宝石界面和蓝宝石衬底上缓冲层的TEM表征通过MOCVD。
机译:c轴和a轴蓝宝石衬底上GaN外延层的纳米划痕特性
机译:通过si离子注入蓝宝石-I,改变GaN /蓝宝石界面处的错配位错的平衡位置。微观结构表征
机译:铁植入蓝宝石纳米复合材料的微观结构表征