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机译:反应离子束辅助沉积技术获得的p-Si衬底上TiNx膜的电性能
N-type silicon; Thin-films; Titanium nitride; Device technology; Barrier height; Implantation; Metal;
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机译:射频等离子体辅助反应离子束溅射沉积技术沉积InN膜的温度依赖性
机译:通过射频沉积InN薄膜等离子体辅助反应离子束溅射沉积(R-IBD)技术
机译:通过离子辅助束沉积技术沉积的未掺杂微/纳米晶体硅膜的结构,形态,电学和发光性质
机译:通过反应电子束物理气相沉积(EB-PVD)沉积的微米厚氧化ado膜的工艺-结构-性能关系
机译:通过离子束辅助沉积注入Ag增强Ag膜与Mo基底之间的粘合强度
机译:基材材料对离子梁辅助沉积技术合成的C-N薄膜的摩擦学性能。