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【24h】

The Decoherence of GaAs Quantum Dot Qubit Due to Electron-Phonon Interactions

机译:电子-声子相互作用导致GaAs量子点量子位的退相干

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摘要

We investigate electron charge decoherence in a GaAs single-electron semiconductor quantum dot through electron-phonon interaction. We analytically and numerically evaluate decoherence time within the Lee-Low-Pines-Huybrecht variational calculation for all coupling strengths. The dependence of decoherence time on the electron-LO-phonon coupling strength and the size of quantum dot is investigated. Our results suggest that electron-phonon interaction has very important effects on charge decoherence.
机译:我们通过电子-声子相互作用研究了GaAs单电子半导体量子点中的电子电荷退相干。在所有耦合强度的Lee-Low-Pines-Huybrecht变分计算中,我们通过分析和数值评估去相干时间。研究了退相干时间对电子-LO-声子耦合强度和量子点尺寸的依赖性。我们的结果表明,电子-声子相互作用对电荷退相干具有非常重要的影响。

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