机译:CCD和CMOS成像器传感器的硅外延层:在线和离线金属检测技术的局限性和挑战
DLTS; lifetime; silicon epitaxial layer; molybdenum; iron;
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机译:要求最小和最轻的CMOS图像传感器挑战CCD
机译:使用掺Do硅CMOS和电子倍增CCD成像器直接检测100-5000 eV电子
机译:CCD和CMOS成像传感器的硅外延层:在线和离线金属检测技术的限制和挑战
机译:使用柱状闪烁体和CCD / CMOS传感器以及FastSPECT III的高分辨率伽马射线成像:第三代固定式SPECT成像器。
机译:使用烃类分子离子植入双外延Si晶片减少CMOS图像传感器像素中的暗电流
机译:使用检测理论使用应用于来自CMOS / CCD传感器的图像的多尺度去噪框架