机译:用于超大规模集成(ULSI)器件的物理气相沉积-W_2N衬垫材料上的铜的“无铅”电化学沉积
tungsten nitride; copper; electrochemical; seedless; diffusion barrier;
机译:用于超大规模集成(ULSI)器件的物理气相沉积-W_2N衬垫材料上的铜的“无铅”电化学沉积
机译:通过等离子化学气相沉积控制用于大规模集成(LSI)互连的铜的沉积轮廓
机译:通过在可重复使用的铜上进行化学气相沉积获得的超高迁移率石墨烯器件
机译:超级装置的衬里材料上的铜的“无缝”电化学沉积
机译:用于ULSI互连的扩散阻挡层材料上的无籽铜电化学沉积
机译:通过在可重复使用的铜上进行化学气相沉积获得的超高迁移率石墨烯器件
机译:通过在可重复使用的铜上进行化学气相沉积获得的超高迁移率石墨烯器件
机译:通过真空电弧气相沉积形成超薄膜器件的方法