東芝，16nm世代以降LSIに適用　なトランジスタ絶縁膜積層技術

摘要

東芝は高いキャリア移動度と薄い等価酸化膜厚を両立でき，16nm 世代以降のLSIに用いられる金属絶縁膜半導体型（MIS）トランジスタに適用可能な新しいゲ一ト絶縁膜積層技術を開発した。新技術は高誘電率ゲ一ト絶縁膜と，ゲルマ二ウムチャネルとの問に，スト口ンチウムジャ一マナイド界面層を挿入するプ口セス技術。