SiCエビタキシャルウェハー生産能力を増強

摘要

昭和電工は秩父事業所（埼玉県）で生産する表面平滑性が高く結晶欠陥が制御されたパワー半導体用4インチ径SiC（炭化シリコン）ェピタキシャルウェハーの生産能力を，設備の増設と生産技術の向上により，従来の2．5倍にあたる月産1，500枚まで増強した。SiCエビタキシャルウェハーを用いるSiCパワー半導体は現在主流のSi（シリコン）半導体に比較し，高電圧大電流に耐えられる性質と高温環境下でも動作する特長をもっ。