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机译:具有固有缺陷NB和BN以及等电取代杂质PN,AsN,SbN,InB,GaB和AlB的BN纳米管的电子结构
A. Nanostructures; C. Ab initio calculations; D. Electronic structure;
机译:具有固有缺陷NB和BN以及等电取代杂质PN,AsN,SbN,InB,GaB和AlB的BN纳米管的电子结构
机译:具有抗钙钛矿结构的Mg_3AsN,Mg_3Sbn,Sc_3AlC,Sc_3Snc和In_3MgC的电子结构
机译:固有缺陷对BN纳米管电子结构的影响
机译:具有原子粗糙表面,边缘位错和等电取代杂质的AgCl纳米系统的电子结构
机译:组成范围0.32 \ u2264 x \ u2264 0.82的铌酸锶钡Sr x Ba 1 \ u2212 x Nb 2 O 6(SBN)的结构